太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

本發明公開了一種均相制備低脫乙酰度羧基甲殼素的方法及其應用。首先將甲殼素加入到氫氧化鈉 和尿素的混合水溶液中制得均相甲殼素水溶液，再加入含羧基化試劑的水溶液在均相甲殼素水溶液里攪 拌反應，經后處理得到低脫乙酰度羧基甲殼素。本發明方法制備工藝簡單，產品取代度均勻易控，產率 高，且反應條件溫和，為環境友好的綠色工藝，利于大規模工業化生產;甲殼素基本上未降解，制得的 一些低脫乙酰度羧基甲殼素具有 pH 敏感性和溫度敏感性，可作為藥物載體材料使用。本發明制得的水 溶性高粘度產品為天然原材

該成果涉及食品生物等高新技術領域，是一種具有抑制腐敗作用的低值魚蛋白深度酶解的方法。通過創造性地在低值魚酶解過程中不斷通入凈化空氣或氧氣，抑制和殺滅引致水解物腐敗變質的厭氧菌；利用內切蛋白酶與外切蛋白酶的協同作用，明顯提高了魚蛋白水解效率，可得水解度大于65%，氮回收率大于85%的低值魚蛋白深度酶解液，顯著降低了低值魚酶解成本。 該成果避免現有技術采用化學殺菌劑所導致的對蛋白酶活性的抑制、化學殺菌劑殘留的問題，以及使用熱殺菌方法所導致的降低魚蛋白水解效率的問題，解決了低值魚酶解過程易

本發明提出了一種基于魯棒低秩張量的高光譜圖像去噪方法，包括建立高光譜圖像噪聲的數學模型， 構造高光譜圖像魯棒低秩張量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪優化模型。本發明充分利用高光 譜圖像（HSI）的先驗知識，高光譜圖像被不同的噪聲污染，如高斯噪聲、脈沖噪聲、死像素和條帶噪 聲等。利用干凈的高光譜圖像數據具有潛在的低秩張量特性以及異常和非高斯噪聲具有稀疏性的特性， 同時分別采用核范數和 l2,1 范數來表征低秩和稀疏特性；本發明的技術

本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規模可控制備。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

本發明涉及一種脂肪胺聚氧乙烯醚二乙基雙磺酸鹽表面活性劑及其制備方法，該表面活性劑具有式(I)所示的結構，式(I)中M為堿金屬離子，R為C12～C18的烴基，m和n為乙氧基團的加合數，m+n取值范圍為2～10。本發明的表面化活性劑能在高溫高鹽高二價金屬離子的條件下將油水界面張力降至超低的優良性能，可用作高溫高鹽高硬度的苛刻油藏的驅油用表面活性劑。合成方法操作簡單、工藝流程短、反應條件溫和，適于規模化生產。

本發明涉及一種脂肪胺聚氧乙烯醚二乙基雙磺酸鹽表面活性劑及其制備方法，該表面活性劑具有式(I)所示的結構，式(I)中M為堿金屬離子，R為C的烴基，m和n為乙氧基團的加合數，m+n取值范圍為2～10。本發明的表面化活性劑能在高溫高鹽高二價金屬離子的條件下將油水界面張力降至超低的優良性能，可用作高溫高鹽高硬度的苛刻油藏的驅油用表面活性劑。合成方法操作簡單、工藝流程短、反應條件溫和，適于規模化生產。

本技術成果主要利用非異氰酸酯法制備可生物降解結晶熱塑性聚(醚氨 酯)及彈性體的方法。具體涉及以脂肪族二氨酯二醇與聚醚二元醇為原料，通過熔融縮聚的氨酯交換反應，得到可生物降解結晶熱塑性聚(醚氨酯)及彈性體，屬于聚氨酯技術領域。 聚氨酯是日常生活中應用非常廣泛的高分子材料，具有良好的強度、韌 性和耐磨性等優異性能。聚氨酯目前主要由多異氰酸酯和含活潑氫化合物來合成，而多異氰酸酯有毒，對環境和人體有害，且其制備原料為劇毒的光氣；同時，異氰酸酯可與水反應形成氣泡，影響了聚氨酯的性能。為了克服這些缺點，近年來提出了非異氰酸酯法來合成聚氨酯，主要利用環碳酸酯與二元或多元胺反應制備。 本技術提供了一種對真空度和設備要求不高、操作簡便、綠色環保的非異氰酸酯法，制備可生物降解結晶熱塑性 聚(醚氨酯)及彈性體的方法。該方法原料便宜易得，制備的熱塑性聚(醚 氨酯)結構規整、高分子量、結晶性能較好、力學性能優異，為脂肪族的直鏈結構，可被微生物和酶降解。本技術采用熔融縮聚氨酯交換的非異氰酸酯法，先以不同的二胺分別和環狀碳酸酯反應制備直鏈型和脂環型兩種二氨酯二醇，并將其中直鏈型二氨酯二醇聚合成預聚體(作為硬段)，再與聚醚二元醇(作為軟段)及脂環型二氨酯二醇在催化劑存在下進行氨酯交換反應，得到可生物降解結晶熱塑性聚 (醚氨酯)及彈性體。由此得到的聚(醚氨酯)具有脂肪族線形結構，該方法操作簡便、綠色、清潔、高效，得到產物為熱塑性材料，具有較高的分子量、較高的熔點、良好的結晶性能和優異的力學性能，可與常規異氰酸酯方法得到的聚氨酯媲美。其拉伸強度可達49.44MPa，斷裂伸長率達1490.0％?？赏ㄟ^改變二氨酯二醇預聚體硬段和聚醚軟段的長度以及軟硬段、脂環型二氨酯二醇配比，從而得到性能各異的材料，可以是熱塑性塑料，也可以是熱塑性彈性體。

? 甲殼素是從蝦蟹等甲殼類動物的外殼以及菌，藻類低等植物的細胞壁中提取的天然高分子材料，是自然界中的第二大生物衍生資源。殼聚糖是甲殼素的N-脫乙醛基產物,是自然界中唯一的阡性多糖。 我們在對羧甲基殼聚糖的制備方法進行深入研究的基礎上，對羧甲基殼聚糖的進一步改性進行深入地研究。制備出了具有表面活性、絡合、抗菌、可降解無毒耐鹽、廉價等優異性能的高檔洗滌劑?？商娲M口高檔洗滌劑，主要用于果疏的清洗。通過保護-脫保護技術對殼聚糖進行羧甲基化改性，控制羧甲基基團在殼聚糖吡喃環上的取代位置，制得結構可

在人類發展的長河中，細菌感染曾經奪去無數人的生命。自從青 霉素問世以來，大量的抗菌藥物不斷涌現，在細菌感染疾病的治療中 發揮了極大的作用。但是由于抗菌藥物的不合理應用，導致細菌耐藥 頻繁發生，甚至耐藥傾向性產生的速度遠遠超出抗菌藥物的研發速 度。細菌耐藥性已經成為全球嚴重的公共衛生問題。特別是―超級細 菌‖的出現，使人類面臨無藥可用的窘境。因此除了規范抗菌藥物的 使用外，迫切需要開發具有新作用機制并且不受傳統耐藥機制

能源與環境問題是目前人類面臨的兩個重大危機，也是科研工作者關注的重點領域。鈣鈦礦太陽能電池以其獨特的物理性質、醒目的光電轉化效率和良好的工業應用前景等特點，被認為是一種擁有巨大解決能源問題潛力的光伏器件。但其電池效率衰減(穩定性)等問題是其走向工業化應用急待解決的課題?，F行鈣鈦礦電池比較普遍使用的空穴傳輸材料是一種比較昂貴的螺二芴結構化合物(spiro-OMeTAD)，需要通過摻雜鋰鹽以提高電池的性能，但這同時加劇了鈣鈦礦電池的不穩定性。所以一直以來研究人員希望尋找更加廉價和穩定的空穴傳輸材料來替代傳統材料。 酞菁銅是一種具有優異光電特性的廉價小分子半導體材料。但其有機溶解性比較差，不利于廉價液相工藝規模制備光電器件。許宗祥課題組從分子設計層面出發，開發八甲基取代的酞菁銅并制備納米材料，通過酞菁納米材料與廉價商業化的高分子材料聚噻吩復合，開發出了具備更高載流子遷移速率及環境穩定性的空穴傳輸材料，實現溶液法制備出光電轉換效率為16.61%的鈣鈦礦太陽能電池，效率高于傳統商業化的螺二芴結構化合物(spiro-OMeTAD)。同時器件的穩定性大幅度提高。