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中國科學技術大學實現具有聚集可調雙發射性質的三維手性分子碳納米環
具有聚集誘導發射(AIE)和聚集誘導猝滅(ACQ)效應的雙發射有機材料在文獻中很少報道，通過調控這類有機分子的聚集程度可以實現多色熒光發射。中國科學技術大學杜平武教授課題組合成了首個具有聚集可調雙發射性質的手性雙環分子，并與楊上峰教授課題組合作，通過AIE效應實現了圓偏振發光性質（CPL）的增強。
中國科學技術大學
2022-07-11
鄭州大學材料科學與工程學院在碳復合能源催化方面取得新進展
研究團隊以硼(B)摻雜碳為載體，通過電子供體硼(B)對銥 (Ir) 的“原子束縛工程”以及對Ir活性中心電子結構的調控，獲得高活性HER催化劑Ir@NBD-C，且Ir的用量僅占商用催化劑的1/4。
鄭州大學
2022-06-08
清華與哈佛研究團隊合作揭示空氣質量提升對光伏發電與碳中和目標的協同效益
在碳中和目標驅動下，光伏發電裝機水平預計將成倍增長。空氣污染將會降低光伏發電水平，有損光伏發電的“減污降碳”效益，然而，我國空氣污染及其改善對光伏發電的影響仍缺乏系統研究。
清華大學
2022-05-09
工信部等八部門聯合印發《“十四五”智能制造發展規劃》
智能制造是制造強國建設的主攻方向，其發展程度直接關乎我國制造業質量水平。發展智能制造對于鞏固實體經濟根基、建成現代產業體系、實現新型工業化具有重要作用。
工信微報
2021-12-28
一種鋁合金周期性點陣多孔結構的快速成形制造方法
本發明公開了一種鋁合金周期性點陣多孔結構的快速成形制造 方法。通過 CAD 軟件構建基于點陣單元的周期性點陣多孔結構的三維 模型，將模型以 STL 格式輸出，導入到 SLM 成形設備中，激光束根 據切片層的數據選擇性地熔化區域內的鋁合金粉末得到二維的金屬結 構，經層層堆積最終可以得到與 CAD 模型一致的三維鋁合金多孔結 構，再經過熱處理、分離、噴砂等后續處理即可得到表面光潔、性能 良好的鋁合金周期性點陣多孔結構。本
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設備
本發明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設備。方法根據待成形金屬構件切片輪廓形狀確定成型缸的內部 結構，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構件切片輪廓形 狀對應的區域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內部結構與待成 形金屬構件切片輪廓形狀相匹配。本發明通過使用鑲塊以及與金屬構 件切片輪廓形狀相適應的異形基板，實現了針對不同金屬構件
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場主動調控系統及其控制方法
本發明公開了一種梯度溫度場主動調控系統及其控制方法，系 統由溫度場監控系統、加熱系統和控制系統；溫度場監控系統用于測 量成形區域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統，加熱系統根據控制系統指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區獨立實時調節，以實現在加工過程中整 個加工區域的溫度場恒定，保證已加工區域與未加工區域處于合理的 溫度梯度，避免熱應力導致構件翹曲、變形、開裂。本
華中科技大學
2021-04-14
一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝
本發明公開了一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO<sub>2</sub>，將光刻的圖形轉移到 SiO<sub>2</sub>層、4)鍍Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微
華中科技大學
2021-04-14
制造有機場效應晶體管的方法、實現該方法的噴嘴及裝置
本發明公開了應用混合型噴嘴噴印制造有機場效應晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導電單元及覆在導電單 元上的油層；4)轉印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實現簡單，對環 境要求也較低；成本低，設備成本低，同時制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；
華中科技大學
2021-04-14
一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝
本發明公開了一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長 ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結 構 表 面
華中科技大學
2021-04-14