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通過(guò)超高真空分子束外延技術(shù)，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導(dǎo)體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過(guò)原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術(shù)對(duì)其中的超導(dǎo)配對(duì)機(jī)制進(jìn)行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測(cè)表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無(wú)近鄰Fe原子團(tuán)簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強(qiáng)度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測(cè)到尖銳的零能電導(dǎo)峰（圖1）。該電導(dǎo)峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長(zhǎng)度~3 A，且遠(yuǎn)離吸附原子時(shí)不劈裂。變溫實(shí)驗(yàn)表明，零能電導(dǎo)峰在遠(yuǎn)低于超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度時(shí)即消失，可初步排除Kondo效應(yīng)、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進(jìn)一步的控制實(shí)驗(yàn)和分析顯示，零能電導(dǎo)峰半高寬嚴(yán)格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標(biāo)度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學(xué)特征吻合（圖2C-圖2G）。對(duì)沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測(cè)到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號(hào)更強(qiáng)。波士頓學(xué)院汪自強(qiáng)教授和合作者曾在理論上提出，無(wú)外加磁場(chǎng)時(shí)，強(qiáng)自旋-軌道耦合s波超導(dǎo)體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對(duì)稱破缺而具有較強(qiáng)的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時(shí)間反演對(duì)稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對(duì)單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預(yù)測(cè)存在拓?fù)浞瞧接瓜?。在二維拓?fù)涑瑢?dǎo)體中，馬約拉納零能模也會(huì)產(chǎn)生于Fe原子誘導(dǎo)的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實(shí)驗(yàn)中觀測(cè)到的零能電導(dǎo)峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導(dǎo)材料從三維拓展到二維、從低溫超導(dǎo)拓展到超過(guò)40 K超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導(dǎo)體系，同時(shí)無(wú)需外加磁場(chǎng)，觀測(cè)到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢(shì)為未來(lái)實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝丝赡艿姆桨浮?

本實(shí)用新型公開了一種二氧化碳濃度修正的呼出氣多組分檢測(cè)儀，該檢測(cè)儀包括過(guò)濾瓶、載氣氣泵、干燥管、進(jìn)樣氣泵、樣品環(huán)、第一兩相三通電磁閥、第二兩相三通電磁閥、第三兩相三通電磁閥、色譜柱和檢測(cè)氣室，連通后分別構(gòu)成進(jìn)樣通路、清洗通路和檢測(cè)通路。所述檢測(cè)氣室為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，開有PCB板槽、MOS傳感器槽、二氧化碳傳感器槽、測(cè)溫孔、氣體反應(yīng)室等。傳感器可快速給出響應(yīng)并恢復(fù)基線，輸出響應(yīng)經(jīng)信號(hào)處理與計(jì)算后，得出氫氣、甲烷濃度，并可根據(jù)二氧化碳濃度進(jìn)行修正，降低樣本采集限制條件，減少呼氣采集等人為因素造成的誤差。該儀器功能完善，體積小，操作簡(jiǎn)便，準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、重復(fù)性較高，用戶交互友好，有利于大規(guī)模臨床應(yīng)用的推廣。

成果介紹利用超臨界二氧化碳技術(shù)制備載藥脂質(zhì)體以及實(shí)施萃取工藝，應(yīng)用萃取行業(yè)及脂質(zhì)體制備。1、茶葉加工殘留物中茶多酚、富含茶多酚的茶油、含紫蘇葉營(yíng)養(yǎng)素的紫蘇籽油、含南瓜營(yíng)養(yǎng)成分的南瓜籽油以及虎杖、丹參等中藥中活性物的提取解決方案2、維生素C、兒茶素等，以及典型的憎水性，如維生素E藥物的脂質(zhì)體制備方案3、提高藥物藥效的細(xì)粒化方案以及聚乳酸、聚醋酸乙烯酯等摻雜藥物的納米緩釋顆粒的制備方案4、物料中活性物的萃取和制劑一體化解決方案。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)1、超臨界二氧化碳共萃取技術(shù)2、超臨界二氧化碳技術(shù)制備載藥脂質(zhì)體技術(shù)市場(chǎng)前景為行業(yè)龍頭企業(yè)提供完整的工藝方案，采用合作方式落地商業(yè)化。另外，可為客戶企業(yè)提供目標(biāo)物質(zhì)的脂質(zhì)體成品，采用成品銷售。醫(yī)藥、食品、農(nóng)業(yè)的脂質(zhì)體載體制備領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

基于MDE具有明確活性中心結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步結(jié)合原位/在線X射線吸收光譜和理論計(jì)算深入揭示了取代基調(diào)控催化劑性能的機(jī)理（圖3）。研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，NiPc MDEs的CO2還原起峰電位與Ni中心的部分還原緊密相關(guān)，而不簡(jiǎn)單取決于理論計(jì)算中的反應(yīng)能壘。氰基（CN）取代可以使分子更容易被還原，因此具有更正的起峰電位。此外，OMe取代可以提高催化過(guò)程中Ni-N鍵強(qiáng)度并促進(jìn)CO中間體脫附，從而提高催化劑穩(wěn)定性。

高質(zhì)量鉬系硫族化合物單層材料的CVD生長(zhǎng)一直受限于難以控制的化學(xué)動(dòng)力學(xué)條件，其中最為重要的是對(duì)于Mo蒸汽釋放的合理調(diào)控。近日，課題組在傳統(tǒng)的MoO 3

本發(fā)明公開了一種納米銀包裹二氧化硅納微米球?qū)щ姺勰┘捌渲苽浞椒ê蛻?yīng)用。采用二氧化硅納微米球表面預(yù)處理法，通過(guò)―晶核-生長(zhǎng)‖理論控制納米銀顆粒在二氧化硅納微米球表面的沉積:先將二氧化硅納微米球在 SnCl2·2H2O/CF3COOH 溶液中進(jìn)行表面處理;然后將處理后的 SiO2 納微米球分散在乙醇中，倒入新配制的硝酸銀和三乙醇胺的絡(luò)合溶液中;最后，加入甲醛水溶液進(jìn)行還原。所用的二氧化硅納微米球，粒徑大小在 0.

本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢(shì)壘層，非摻雜氮化物勢(shì)阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過(guò)率的非摻雜勢(shì)壘層聯(lián)合

本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型