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花生維生素E合成相關基因APG1、APG2在提高植物α生育酚含量和耐鹽性中的應用
本發明提供了花生維生素E合成相關基因APG1、APG2在提高植物α生育酚含量和耐鹽性中的應用，兩基因APG1、APG2的氨基酸序列的同源性為98.6%。本發明經實驗證明，將這2個基因分別在花生中超量表達后，得到活性最高的α生育酚含量明顯提高的轉基因植株，且可明顯增強轉基因花生種子和植株的耐鹽性；將這2個基因的反義載體轉入花生后，轉基因植株的α生育酚含量明顯減少。本發明的蛋白及其編碼基因對于植物維生素E合成機制的研究，提高植物的α生育酚含量，改良植物的抗逆性具有重要的理論及實際意義，應用前景廣闊。
青島農業大學
2021-04-13
三種不同pH介質中均以小于或等于102 mV的過電勢驅動10 mA cm-2的HER電流密度
MoP最近被發現在酸性及堿性條件下都具有非常高的本征催化活性和穩定性。但是，由于高結晶度的MoP通常需要在非常高的溫度下形成，導致合成出的MoP催化劑通常尺寸較大、表面活性位點密度低。鑒于此，梁永曄課題組基于氧化碳納米管(CNT)的表面含氧基團與金屬離子存在強相互作用，設計了兩步合成策略制備出了CNT負載的尺寸小、結晶度高及分散好的MoP納米粒子/CNT復合物(圖2)。實驗結果表明，相對于體相的MoP, 該MoP/CNT復合物催化劑在酸性、中性及堿性介質中的催化HER的表觀電極活性得到顯著提升, 實現了在三種不同pH介質中均以小于或等于102 mV的過電勢驅動10 mA cm-2的HER電流密度。
南方科技大學
2021-04-13
材料與物理學院煤基燃料電池團隊在高溫電解及CO2資源化方面取得研究進展
固體氧化物電解池（SOEC）是固體氧化物燃料電池（SOFC）的逆過程，圖一所示，SOEC通過電解H2O產生氫氣，通過電解CO2減少CO2排放，并對H2O/CO2進行共電解以產生用于化工生產的H2/CO合成氣。其產品可應用于煉鋼、化工、農業、航空航天和醫療等眾多領域。
中國礦業大學
2022-06-01
關于公布2021年度化學科學部原創探索計劃項目（第二批）評審會專家的公告
2021年12月9日，化學科學部組織評審2021年度第二批專家推薦類原創探索計劃項目。根據國家自然科學基金委員會相關規定，現發布評審會專家名單。
國家自然科學基金委員會化學科學部
2021-12-15
【第57屆高博會系列報道之三】第二屆云端教學發展大會在陜西西安舉辦
大會以“云網融合教育創新突出應用示范引領”為主題，聚焦教育信息化和教育資源數字化建設，共研新形勢下教育變革路徑，共商新時代云端教學發展大計，共助高校教育教學模式創新與發展。
中國高等教育學會
2022-08-06
中國高等教育學會關于召開第二屆數字時代創新創業教育研討會的通知
為探討當前高校該如何抓住數字經濟和新一輪產業革命的契機，將數字技術積極融入創新創業教育，激發創造，成就創新，賦能創業，持續深化創新創業教育改革，賦能高校專創融合、科創融合、人才培養、數字創業以及高質量雙創實踐教育體系，經研究，中國高等教育學會決定舉辦第二屆數字時代創新創業教育研討會。
中國高等教育學會
2023-03-30
第二屆科創中國·高等學校技術交易大會成功舉辦
4月9日，由中國科協和重慶市人民政府指導，中國高等教育學會聯合重慶市級相關部門共同舉辦，學會科技服務專家指導委員會、哈爾濱工業大學、電子科技大學、重慶大學三所高校參與承辦的第二屆科創中國·高等學校技術交易大會在重慶國際博覽中心順利召開。
云上高博會
2023-04-11
中國高等教育學會關于舉辦第二屆科創中國·高等學校技術交易大會的通知
為全面貫徹落實黨的二十大精神，推動高校科技創新和成果轉化，服務科技自立自強和區域創新發展，在中國科協和重慶市人民政府的指導下，中國高等教育學會聯合重慶市級相關部門共同舉辦第二屆科創中國·高等學校技術交易大會。本次大會包括主論壇及集成電路、數字經濟、低碳與能源三大產業分論壇，并將與第58·59屆中國高等教育博覽會同期舉行。
中國高等教育學會
2023-03-23
關于高校設備更新改造及數字化建設解決方案供應商名錄（第二批）的公示
公示期2024年1月8日至2024年1月12日。
中國高等教育博覽會
2024-01-08
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17