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一種溶酶體定位熒光探針硒代嗎啉-氟硼二吡咯及其制備方法和應用
一種溶酶體定位熒光探針硒代嗎啉?氟硼二吡咯及其制備方法和應用。本發(fā)明提供一種熒光分子Se?BODIPY，該熒光分子Se?BODIPY包含氟硼二吡咯熒光團和硒代嗎啉溶酶體定位基。本發(fā)明還提供了該熒光分子Se?BODIPY的制備方法和應用。該熒光分子可以作為溶酶體定位熒光探針。本發(fā)明的溶酶體定位熒光探針是由8?氯甲基?1,3,5,7?四甲基?氟硼二吡咯和硒代嗎啉反應制得的熒光分子，通過過氧化氫誘導的硒代嗎啉氧化反應，由光誘導電子轉(zhuǎn)移機制靈敏調(diào)控探針分子的熒光發(fā)射性能，其靈敏度高、選擇性強、生物相容性好，能快速進入溶酶體，可作為性能優(yōu)異的溶酶體定位熒光探針，在熒光成像、生物熒光分析、熒光標記、內(nèi)源性或外源性過氧化氫檢測及凋亡細胞黏度檢測方面具有重要應用。
東南大學
2021-04-11
關于開展遼寧省2022年第二批“揭榜掛帥”科技項目申報工作的通知
為深入貫徹落實黨中央、國務院關于統(tǒng)籌做好經(jīng)濟穩(wěn)增長、疫情防控和安全生產(chǎn)的重要指示和省委、省政府決策部署，根據(jù)《遼寧省“揭榜掛帥”制實施管理暫行辦法》（遼科發(fā)〔2021〕42號），經(jīng)研究，省科技廳決定發(fā)布2022年第二批“揭榜掛帥”科技項目榜單，現(xiàn)就對接揭榜、項目申報等有關事宜通知。
遼寧省科學技術廳
2022-06-08
【科創(chuàng)中國】第二屆科創(chuàng)中國·高等學校技術交易大會在重慶召開
4月9日，第二屆科創(chuàng)中國·高等學校技術交易大會在重慶召開。中國高等教育學會副會長、中國工程院院士周玉，教育部科技發(fā)展中心原主任、學會科技服務專家指導委員會（簡稱科服委）副主任委員李志民，中國科學院力學研究所所長、學會科服委副主任委員羅喜勝，西部科學城重慶高新區(qū)黨工委委員、管委會副主任、重慶市委教育工委委員彭世權，重慶大學副校長鄧紹江，哈爾濱工業(yè)大學校長助理劉挺，中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團戰(zhàn)略合作部副主任吳晶等出席大會。大會主論壇由電子科技大學副校長孔令講主持。
云上高博會
2023-04-12
在二維極限下的高溫超導體中對零能束縛態(tài)的研究
通過超高真空分子束外延技術，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術對其中的超導配對機制進行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實驗發(fā)現(xiàn)，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導峰（圖1）。該電導峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠離吸附原子時不劈裂。變溫實驗表明，零能電導峰在遠低于超導轉(zhuǎn)變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進一步的控制實驗和分析顯示，零能電導峰半高寬嚴格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號更強。波士頓學院汪自強教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強自旋-軌道耦合s波超導體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預測存在拓撲非平庸相。在二維拓撲超導體中，馬約拉納零能模也會產(chǎn)生于Fe原子誘導的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實驗中觀測到的零能電導峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進一步的實驗和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導材料從三維拓展到二維、從低溫超導拓展到超過40 K超導轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢為未來實現(xiàn)可應用的拓撲量子比特提供了可能的方案。
北京大學
2021-04-11
一種具有共振隧穿結(jié)構電子阻擋層的發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種激光打印機高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法
本發(fā)明公開了一種激光打印機高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調(diào)幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態(tài)的半色調(diào)文件。第二次對比前先取特 征邊緣點，然后待打印文件相應位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態(tài)的半 色調(diào)文件。最后根據(jù)半色調(diào)文件控制半曝光激光打印機進行輸出。本發(fā)明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調(diào)方法調(diào)整效果顯著。
武漢大學
2021-04-14
廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果二等獎
獲廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果《廣元市地震災區(qū)教師信息技術能力現(xiàn)狀調(diào)查與分析》二等獎。
川北幼兒師范高等專科學校
2015-01-14
中國科學技術大學在二維材料固態(tài)自旋色心研究中取得新進展
我校郭光燦院士團隊在二維范德瓦爾斯材料固態(tài)自旋色心領域取得重要進展。該團隊李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實驗研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負電硼空位（VB-）色心受磁場調(diào)制的自旋相干動力學行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機制，對發(fā)展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統(tǒng)及低維量子器件具有重要意義。
中國科學技術大學
2022-10-17
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一種帶有硫化鋁外殼的二硫化鉬納米粉末材料及其制備方法
（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發(fā)明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結(jié)構，內(nèi)核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內(nèi)核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發(fā)明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極
安徽工業(yè)大學
2021-01-12