新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)及其制備方法
(專(zhuān)利號(hào):ZL 201310038265.6) 簡(jiǎn)介:本發(fā)明公開(kāi)一種新型多層結(jié)構(gòu)碳化硅光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)及其制備方法,屬于寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。它包括襯底,所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構(gòu)成,在所述襯底的硅面上有一層導(dǎo)電類(lèi)型的第一摻雜層,摻雜類(lèi)型為N型;所述襯底的碳面上有兩層導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜層,從內(nèi)到外依次為:第二摻雜層和第三摻雜層,所述的第二摻雜層摻雜類(lèi)型為P型,所述第三摻雜層摻雜類(lèi)型為N型;所述硅面一側(cè)設(shè)置有開(kāi)關(guān)的陽(yáng)極
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12