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公示期2024年1月8日至2024年1月12日。

本發(fā)明屬于催化方法及催化劑技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種三氟甲烷磺酸類化合物催化制備二氫喹啉并吡咯衍生物的方法，所述的方法通過協(xié)同催化體系，以三氟甲烷磺酸類化合物為催化劑，通過1,4?吡啶硫內(nèi)鎓鹽和氨基丙二腈發(fā)生分子間串聯(lián)環(huán)化反應(yīng)實(shí)現(xiàn)了二氫喹啉并吡咯衍生物的高效制備，具有條件溫和、選擇性高等顯著優(yōu)勢(shì)，所述的方法采用簡(jiǎn)單易得的原料，避免了傳統(tǒng)復(fù)雜底物的使用，并展現(xiàn)出優(yōu)異的官能團(tuán)兼容性，可耐受硝基、鹵素、胡椒基、烷基、芳基、烷氧基、吲哚及噻吩等多種取代基，為二氫喹啉并吡咯衍生物骨架的構(gòu)建提供了新策略，其操作簡(jiǎn)便、產(chǎn)率高和化學(xué)選擇性好的特點(diǎn)，為該類化合物的工業(yè)化生產(chǎn)提供了重要參考。

該成果采用兩親性多元醇還原的溶劑熱法可控制備具有高度單分散性的 Fe3O4 微球，實(shí)現(xiàn)了微球尺寸在 50～1200 nm 范圍的可調(diào)，其>500 nm 的高單分散性的大尺寸磁珠未見文獻(xiàn)報(bào)道。以 SiO2 等包覆所獲得的高單分散性磁珠易于氨基和羧基化，從而在偶聯(lián)劑（如碳二亞胺）等作用下，易于實(shí)現(xiàn)納米磁珠與 CD45 等抗體的有效結(jié)合。目前磁珠表面包被 CD45 等抗體的試驗(yàn)已順利完成。 該成果提出了納米磁珠的全尺寸控制合成新思路，在高效包被 CD45 等抗體陰性富集實(shí)體瘤循環(huán)血液中稀有癌細(xì)胞的檢

針對(duì)載流子表界面復(fù)合的問題，研究團(tuán)隊(duì)通過在氮化鉭薄膜上下界面分別修飾p型的Mg:GaN層和n型的In:GaN層，一方面鈍化氮化鉭薄膜的界面缺陷，另一方面通過構(gòu)建異質(zhì)結(jié)提升界面載流子分離能力，實(shí)現(xiàn)了最高為3.46%的ABPE，這是目前基于氮化鉭光陽極的最高效率值（圖）。將體相和界面載流子管理策略相結(jié)合，有望進(jìn)一步提升氮化鉭光陽極的效率。

中國(guó)海洋大學(xué)服務(wù)器、圖形工作站、相機(jī)等設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目（二次）競(jìng)爭(zhēng)性磋商

利用有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)中激發(fā)態(tài)的指紋式磁效應(yīng)曲線作為一種靈敏高效的探測(cè)工具，物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院熊祖洪課題組在有機(jī)半導(dǎo)體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發(fā)現(xiàn)了一個(gè)有利于增強(qiáng)器件發(fā)光效率的激子演化通道，即激子的高能態(tài)反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）過程，并通過調(diào)控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結(jié)構(gòu)對(duì)該HL-RISC通道的產(chǎn)生條件、正常與反常的物理行為表現(xiàn)以及如何實(shí)現(xiàn)高效率發(fā)光和低效率滾降等方面進(jìn)行了詳細(xì)探究。 OLEDs在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，盡管基于有機(jī)發(fā)光的手機(jī)顯示屏和電視已開始市場(chǎng)化，但進(jìn)一步提升其發(fā)光效率和延長(zhǎng)其使用壽命仍然是該領(lǐng)域的兩大研究方向。因理論上能夠?qū)崿F(xiàn)100%的內(nèi)量子效率，具有常規(guī)RISC (T1®S­1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機(jī)材料和具有HL-RISC (T2®S­1)過程的有機(jī)半導(dǎo)體是目前OLEDs領(lǐng)域的熱點(diǎn)研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數(shù)3/4的不發(fā)光三重態(tài)T激子轉(zhuǎn)變成發(fā)光的單重態(tài)S激子，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的成倍增強(qiáng)。顯然，研究這些激子及其前驅(qū)體(precursor, 如極化子對(duì)(polaron-pair))和TADF材料以及激基復(fù)合物材料中電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(charge-transfer states)激子的形成機(jī)制及其演化規(guī)律對(duì)進(jìn)一步認(rèn)識(shí)OLEDs的器件物理和設(shè)計(jì)制造高效率OLEDs具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機(jī)半導(dǎo)體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(yīng)(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統(tǒng)深入地研究了多種有機(jī)光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。

我國(guó)水處理技術(shù)起步較晚，大部分是剖析、仿制或依據(jù)國(guó)外專利研制的，再加上我國(guó)水處理劑工業(yè)發(fā)展歷史較短，科研經(jīng)費(fèi)有限,因此具有基礎(chǔ)薄弱、技術(shù)比較落后、整體水平不高的特點(diǎn)。雖然經(jīng)過“八五”、“九五”攻關(guān)在水處理藥劑開發(fā)方面達(dá)到了較高水平，但是隨著環(huán)保和節(jié)水意識(shí)的加強(qiáng)，在水處理藥劑的低磷化、環(huán)保化方面，在水處理藥劑生產(chǎn)的連續(xù)化、自動(dòng)化、標(biāo)準(zhǔn)化方面，水處理藥劑

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫(kù)珀對(duì)的自旋被有效的塞曼磁場(chǎng)固定住，由此表現(xiàn)出極強(qiáng)的的面內(nèi)臨界磁場(chǎng)（遠(yuǎn)超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級(jí)平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對(duì)其覆蓋非晶態(tài)Se保護(hù)層，進(jìn)而對(duì)非原位的電輸運(yùn)物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：?jiǎn)螌覰bSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達(dá)2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機(jī)械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長(zhǎng)的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時(shí)，強(qiáng)磁場(chǎng)和極低溫下的輸運(yùn)測(cè)量結(jié)果直接證實(shí)了平行特征臨界場(chǎng)Bc//(T = 0)是順磁極限場(chǎng)的5倍以上，符合Zeeman保護(hù)的伊辛超導(dǎo)機(jī)制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場(chǎng)下的外推）。此外，極低溫垂直磁場(chǎng)下的電輸運(yùn)測(cè)量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對(duì)零度時(shí)的量子臨界點(diǎn)表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。