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本實用新型公開了一種光伏太陽能硅片上料設備，包括：機架；安裝在機架上用于將硅片沿著 X 軸方向輸送路徑可調換方向地輸送至下位機的硅片輸送機構；分別設置在輸送路徑的兩側用于貯存硅片的料盒；處于輸送路徑的上方，通過 Y 軸和 Z 軸方向的移動拾取硅片并將其釋放至輸送路徑上執行輸送的機械手，該機械手還具備硅片分離裝置，由此在拾取硅片的過程中使得相鄰硅片予以分離以便逐一拾取；用于對整體工況提供控制指令的電氣控制系統；以及根據電氣控制系統的控制指令對相應功能元件執行驅動的氣動模塊。本實用新型還公開了相應的上料系統。通過本實用新型，能夠取得上料效率高、降低硅片破損率以及靈活設定傳送方向等方面的優點。

北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。

該項目針對 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實際生產難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內在原因；通過工藝優化，開發出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術，開發了新工藝，應用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現在的0.5%以內。每年產生直接經濟效益近600萬元，節約成本150萬元。

一、成果簡介 該課題受北京市自然科學基金項目“植物乳桿菌素對肉源李斯特氏病原菌作用機理研究”的資助，鑒于化學防腐劑在食品防腐應用中的不安全性，重點開展了新型生物防腐劑乳酸菌細菌素產生菌株的篩選，活性細菌素的分離純化，細菌素及其產生菌株的應用研究。二、技術指標 從傳統宣威火腿中分離篩選出一株高產

本發明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結構的方法。對懸空結構及其固定結構采用不同的槽寬設計，其中，固定結構的槽寬明顯大于懸空結構，寬槽底部經刻蝕首先到達或更加接近 SiO2 層，再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離，將窄槽間的梁釋放，形成具有平整底面的懸空結構，同時去除固定結構與懸空結構連接區底部的 Si 以及固定結構與其它結構之間的區域底部的 Si，使得固定結構與窄槽下方的 Si 層及其它結構隔離，從而使不同的固定結構間相互絕緣。本發明的方法簡單有效，能廣

本發明公開了一種抗工藝漲落的自修調集成電路片上振蕩器，包括集成于同一芯片的用于產生基準脈沖的基準振蕩單元，用于產生輸出脈沖的待修調振蕩單元，以及用于接收基準脈沖和輸出脈沖，并根據接收到的基準脈沖和輸出脈沖向待修調振蕩單元發出相應的修調信號，控制待修調振蕩單元對輸出脈沖進行頻率修調的自修調邏輯控制單元。由可片內集成的基準振蕩單元提供頻率調修所需的基準脈沖，并在修調完成后關閉基準振蕩單元，實現了輸出頻率的片內自修調，避免片外修調，有利于降低芯片制備成本。且硬件結構簡單，容易實現，并在不修調時，關閉基準振蕩單元，降低芯片的功耗。

產品詳細介紹多媒體講臺|鋼制講臺|電子講臺|班班通講臺|多媒體講桌|多功能講臺|S1300【多媒體講臺|鋼制講臺|講桌】基本說明外型尺寸：1400mm*730mm* 900 mm(長*寬*高)；展臺位置：470mm*560mm*300mm（長*寬*高）；【多媒體講臺|鋼制講臺|講桌】產品特點產品材料：全部采用1.2-1.0精裝冷軋鋼板，克服了木制講臺散熱差、不防盜、不耐用、不防火的缺點；【多媒體講臺|鋼制講臺|講桌】參數規格詳細參數1、外型尺寸：1400mm*730mm* 950 mm(長*寬*高)；展臺位置：470mm*560mm*300mm（長*寬*高）；2、產品材料：全部采用1.2-1.0精裝冷軋鋼板，克服了木制講臺散熱差、不防盜、不耐用、不防火的缺點；3、表面處理：經酸洗、磷化、防腐、防銹處理后靜電噴涂,表面經久耐用,顏色用戶可自選；4、顯示器面板為活動件，為用戶選用中央控制系統、顯示器提供了方便，可安裝15-19寸液晶顯示器（也可按要求定做）； 5、產品結構: 安全防盜,鎖好講臺后,外面無任何可拆卸螺釘；蓋板由導軌和推拉相結合,全部采用豪華內藏式鋁合金鉸鏈,開啟靈活方便;設備箱門向下翻即開打開,不占用空間；6、產品優點： 除具備上翻后推講臺的功能外,還有以下優點： 空間更大，有更多的看見可以放置筆記本電腦和教具,還可以在講臺邊上一邊做實驗一邊使用電腦和視頻展臺；7、桌面可安裝筆記本接口模塊，其中包括網絡接口一個，AV視頻接口一個，音頻接口一個，話筒接口一個，VGA接口一個，USB接口兩個；（選配）8、講桌內可放以下設備：教學終端、廣播終端、電腦主機、顯示器、鍵盤鼠標、多媒體中控、實物展示臺、DVD機、功放音箱、筆記本電腦、無線話筒等；9、適應范圍廣泛：大中院校、中小學校的多媒體教室、階梯教室、普通教室、演播廳 、以及各種培訓教室、報告廳等。【多媒體講臺|鋼制講臺|講桌】適用范圍適應范圍廣泛：大中院校、中小學校的多媒體教室、階梯教室、普通教室、演播廳 、以及各種培訓教室、報告廳等。【多媒體講臺|鋼制講臺|講桌】包裝說明紙箱包裝，可根據需求訂制木箱。【多媒體講臺|鋼制講臺|講桌】售后服務一年免費保修，終身維護維修。

南昌大學湯淵源教授在熊仁根教授提出的“托氟效應”理論的指導下，與江蘇科技大學陳立莊教授合作，在有機-無機雜化型鐵電體領域取得重要進展。通過精準修飾有機陽離子，成功地合成了新型非鈣鈦礦結構ABX3（A、B為陽離子，X為陰離子）鐵電體[(CH3)3NCH2F]ZnCl3，這是首例ABX3鋅鹵鹽鐵電體。 鈣鈦礦型ABX3有機-無機雜化材料擁有豐富的性能，比如鐵電性、壓電性、光致發光、鐵磁性等。其中，鐵電性作為一種重要的物理性質，在非揮發性存儲器、電容器、傳感器等領域具有廣泛的應用。除了鈣鈦礦結構，ABX3型化合物也可以結晶在其他結構里。比如無機的ABX3化合物可以結晶成輝礦石結構、剛玉結構、六方錳礦結構等。相應地，有小部分有機-無機雜化ABX3型化合物可以結晶成由BX3五面體或四面體構成的非鈣鈦礦結構。但是，在這些非鈣鈦礦型的ABX3化合物中卻很少有鐵電性的報道。這主要是由于對鐵電體結構與性能的關系認識不夠所導致的。因此，深入探究鐵電體的構效關系，對于精準設計有機-無機雜化型鐵電體具有重要意義。 根據諾埃曼原則，鐵電體必定屬于10個極性點群。因此，在晶體中引入極性分子或是極性無機骨架將會是設計鐵電體一個非常有效的策略。團隊基于前期工作的系統篩選，鎖定了擁有極性結構的[(CH3)4N]ZnCl3。它的晶體結構中，所有ZnCl4四面體沿著同一個方向以共角的方式排列，形成極性的[ZnCl3]-n鏈。這與一維鈣鈦礦結構和硅酸鹽結構不同，在這兩種結構中偶極子被相互抵消。然而進一步的表征表明，[(CH3)4N]ZnCl3沒有相變，且不具鐵電性。另一個精準設計有機-無機雜化鐵電體的策略是“托氟效應”理論，用電負性最強的F原子取代分子中的H原子，可以改變分子中原子間的相互作用，進而引入鐵電性。受該理論的啟發，研究者對[(CH3)4N]ZnCl3進一步修飾，用電負性較強的鹵素原子F、Cl、Br、I來取代準球形有機陽離子[(CH3)4N]+上的H原子，獲得了4例非鈣鈦礦結構的ABX3型化合物。其中，[(CH3)3NCH2F]ZnCl3被證明具有鐵電性。對于[(CH3)3NCH2X]ZnCl3 (X = Cl, Br, I)，沒有可靠的證據顯示他們具有鐵電性。[(CH3)3NCH2F]+陽離子中電負性更強的F原子影響了[ZnCl3]n-鏈中的Cl原子，形成相對較強的F…Cl作用，這種鹵-鹵鍵連接了陽離子和無機鏈。這樣，陽離子的翻轉將會帶動極性陰離子鏈的翻轉，使得體系在兩種極化狀態之間轉換的能量降低，所以[(CH3)3NCH2F]ZnCl3具有在外電場作用下可翻轉的自發極化，即鐵電性。相比于F原子，Cl、Br、I原子的電負性較弱，這種鹵-鹵作用在[(CH3)3NCH2X]ZnCl3 (X = Cl, Br, I)中不足以誘導出鐵電性。這項研究為精準設計新型有機-無機雜化鐵電體提出了新的思路。

本項目系統地研究了陰極離子鍍第一代涂層(TiN，TiC和CrN)、第二代涂層(TiCN和TiAlN)、第三代涂層(TiN/TiCN)、第四代涂層(金剛石和DLC)、第五代涂層(TiAlSiN)和第六代涂層(AlCrN)的制備方法及其摩擦-磨損性能，適應了數字化制造時代的需求，滿足了干切削的要求，具有高熱穩定性、高抗氧化性和良好的紅硬性的優點。本項目制備的高性能涂層，如TiAlN、AlCrN和TiAlSiN等在國內有巨大的應用市場，目前國內的刀具和模具的涂層市場超過200億元。與國外同類涂層相比，性