加工第三代半導體晶片光電化學機械拋光技術

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第三代半導體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩定性好等優點，已廣泛應用于電子和光電子等領域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術中的關鍵器件。將半導體晶片制成器件，其中的一個關鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學性質極其惰性，半導體工業目前常用的化學機械拋光方法無法對其實現高效加工。對此，我們從原理上創新發展了一種光電化學機械拋光技術，不僅可快速加工各種化學惰性半導體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達1.2 μm/h，比目前的化學機械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺階結構的平滑表面。設備簡單，技術具有完全的自主知識產權。

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