超凈高純濕電子化學品在濕法芯片制造過程中起決定性作用，濕電子化學品制備的關鍵在于控制并達到所要求的雜質含量和顆粒度。以半導體領域為例，根據現行通用的 SEMI標準，根據 IC 線寬不同，所需超級高純試劑可分為 G1-G5 5 個等級，其中 G5 等級要求金屬雜質含量達到 10ppt 等級。高端領域(G5等級)幾乎被歐美等公司所壟斷，其中德國巴斯夫、美國Ashland公司以及日本三菱公司占據了全球60%以上的市場份額，我國高端濕電子化學品在芯片領域的供應占全球<10%。目前，國際上普遍使用的超凈高純試劑提純工藝有十余種，用于不同成分、不同要求的超凈高純試劑的生產。主要的方法有蒸餾和精密分餾、離子交換、分子篩分離、氣體吸收和超凈過濾以及多技術耦合，均為國外開發，且關鍵材料如離子吸附樹脂等幾乎被歐美等公司所壟斷。本項目開發了短流程膜法超凈高純電子化學品分離新工藝，制備了無物質溶出且結構穩定的聚合物膜，通過一次膜分離，可同步實現金屬離子99%以上和顆粒物100%截留。

膜法工藝流程

1、一次膜分離，同步實現金屬離子99%以上和顆粒物100%截留;

2、形成了從材料制備到工藝優化的全流程專利池，實現了高端濕電子化學品分離膜自主化。