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基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器及制備方法

2021-04-14 00:00:00
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所屬領(lǐng)域:
人工智能
項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè)

器及其制備方法,涉及半導(dǎo)體材料制備的射線成像探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。

所述的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸

光層,電子選擇性接觸選擇層,空穴選擇性接觸層,分別貼合在所述

吸光層的兩面,兩個(gè)電極分別與兩個(gè)選擇性電荷接觸層接觸,作為器

件的正極和負(fù)極。本發(fā)明的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器具備高靈敏度,環(huán)境友

好,穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

項(xiàng)目階段:
未應(yīng)用
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