基于LMS校正理論，在逐次逼近ADC結(jié)構(gòu)中引入?yún)⒖茧娙荩溆嗨袉挝浑娙莸臄?shù)字權(quán)重相對參考電容進(jìn)行數(shù)字后臺(tái)校正。每個(gè)輸入信號(hào)被量化兩次，第二次量化時(shí)待校正的單位電容與終端電容交換位置。兩次量化結(jié)果之差被用來校正單位電容的數(shù)字權(quán)重。所有校正過程全部在開機(jī)上電后自動(dòng)完成，并且不受溫度、濕度等環(huán)境條件變化的影響。 通過設(shè)計(jì)一個(gè)12bit 5MHz ADC，并經(jīng)過流片測試，驗(yàn)證了校正方法有效性。測試結(jié)果表明，在1.2V/2.5V電源電壓下，ADC的微分非線性度<±1LSB，積分非線性度<±1.5LSB，動(dòng)態(tài)范圍≥83dB，信噪比優(yōu)于65dB，有效位在10.7位以上（注：相同條件下，無校正算法ADC的有效位僅為9.1位，且電容陣列面積成倍增長）。與市場同類ADC產(chǎn)品相比較，在電壓和功耗要求相同的條件下，性能具體明顯優(yōu)勢。 該校正技術(shù)可用來校正傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)逐次逼近ADC電容失配，提高ADC分辨精度，減小芯片面積。應(yīng)用該校正技術(shù)的ADC，可用在高精度傳感器讀出電路、可穿戴電子產(chǎn)品、精密探測儀器等領(lǐng)域。