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金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝和反應(yīng)器設(shè)計(jì)
2021-04-14 00:00:00
云上高博會(huì)
http://www.c05ze3x.xyz
關(guān)鍵詞：
金屬有機(jī)
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項(xiàng)目簡(jiǎn)介
本成果基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）GaN 生長(zhǎng)的化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)原理和傳熱 傳質(zhì)原理，設(shè)計(jì)了一種新的 GaN 生長(zhǎng)的 MOCVD 工藝，以及相應(yīng)的新的 MOCVD 反應(yīng)器。新 工藝可以大大減少氣相寄生反應(yīng)、提高襯底上方的溫度和濃度均勻性，加大生長(zhǎng)窗口。 改進(jìn)了傳統(tǒng)的 MOCVD 工藝窗口窄，對(duì)溫度和濃度過于敏感等缺點(diǎn)，屬國際首創(chuàng)。圍繞該 成果已申請(qǐng)多項(xiàng)發(fā)明專利。
性能指標(biāo)
項(xiàng)目階段:
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