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先導中心8?寸平臺上制造絕緣體上張應變鍺（TSGOI）晶圓

2021-01-12 00:00:00
云上高博會 http://www.c05ze3x.xyz
關鍵詞： TSGOI晶圓
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所屬領域:
新一代信息技術
項目成果/簡介:

已有樣品/n實現了工藝過程中對Ge的誘導應變微調，使Ge的帶隙改變為0.7eV。以此類Ge

襯底制備的PMOS器件實現了506cm2V-1s-1的高空穴遷移率。

項目階段:
產業化應用
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