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3D?NAND?存儲器研發

2021-01-12 00:00:00
云上高博會 http://www.c05ze3x.xyz
關鍵詞: 存儲器
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所屬領域:
新一代信息技術
項目成果/簡介:

已有樣品/n3D NAND 是革新性的半導體存儲技術,通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺

寸實現存儲密度增長,從而拓寬了存儲技術的發展空間,但其結構的高度復雜性給

工藝制造帶來全新的挑戰。經過不懈努力,工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇

比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難

點,為實現多層堆疊結構的3D NAND 陣列打下堅實基礎。

項目階段:
小批量或小范圍應用
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