本發明公開了一種用于仿壁虎腳微納分級結構的制造工藝，包括：S1、使用 LPCVD 設備在潔凈的硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜；S2、 在有 SiO2 層的硅片表面旋涂光刻膠并進行光刻，制備出圓孔陣列圖 形；S3、使用緩沖氫氟酸溶液對暴露出的 SiO2 進行刻蝕，將光刻膠上 的圖形轉移到 SiO2 層；S4、在樣品表面鍍一層 Cu 膜；S5、在丙酮或 乙醇中進行超聲，通過溶脫剝離工藝去除表面的光刻膠及光刻膠表面 的 Cu；S6、利用 CVD-VLS 生長工藝，以上述工藝制備的 Cu 為催化 劑，以 SiCl4 為硅源，以 H2 為載氣，生長 Si 微米線陣列；S7、在硅 線表面鍍一層 Cu 膜；S8、利用 CVD-VLS 生長工藝，以 S7 制備的 Cu 膜為催化劑，以 SiCl4 為硅源，以 H2 為載氣，在 Si 微米線表面生長 Si 納米線。本發明提供的微納分級結構中 Si 微米線的表面分布有 Si 納米線，即一種仿壁虎腳微納分級結構，為干性黏附材料的設計與制 造提供了一種解決方案。